收藏本站
IXTR48P20P
-90
Fig. 7. Input Admittance
60
Fig. 8. Transconductance
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
T J = - 40oC
25oC
125oC
55
50
45
40
35
30
25
20
15
T J = - 40oC
25oC
125oC
10
-10
0
5
0
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0
-5.5
-6.0
-6.5
-7.0
-7.5
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-160
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
-10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
-140
-120
-100
-80
-60
T J = 125oC
-9
-8
-7
-6
-5
-4
-3
V DS = -100V
I D = - 24A
I G = -1mA
-40
-20
0
T J = 25oC
-2
-1
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
- 1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
1,000
Coss
- 100
R DS(on) Limit
100μs
1ms
- 10
10ms
100
f = 1 MHz
Crss
- 1
DC
100ms
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
- 1
- 10
- 100
- 1000
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V DS - Volts
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXTR62N15P MOSFET N-CH ISOPLUS-247
IXTT100N25P MOSFET N-CH 250V 100A TO-268
IXTT110N10P MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
IXTT120N15P MOSFET N-CH 150V 120A TO-268
IXTT16P60P MOSFET P-CH 600V 16A TO-268
IXTT170N10P MOSFET N-CH 100V 170A TO-268
IXTT1N100 MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268
IXTT20N50D MOSFET N-CH 500V 20A TO-268
相关代理商/技术参数
IXTR62N15P 功能描述:MOSFET 62 Amps 150V 0.045 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTR90P10P 功能描述:MOSFET -57.0 Amps -100V 0.270 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTR90P20P 功能描述:MOSFET -90.0 Amps -200V 0.048 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT02N450HV 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET 4500V 200mA HV Power MOSFET
IXTT100N25P 功能描述:MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT10N100D 功能描述:MOSFET 10 Amps 1000V 1.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT10N100D2 功能描述:MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT10P50 功能描述:MOSFET -10 Amps -500V 0.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube